IPD50R950CEATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50R950CEATMA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 34 W
极性 N-CH
耗散功率 53W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 4.3A
上升时间 4.9 ns
输入电容Ciss 231pF @100VVds
下降时间 19.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 53W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
IPD50R950CEATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPD50R950CEATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50R950CEATMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 500V 4.3A | 搜索库存 |
替代型号IPD50R950CEATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD50R950CEATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 500V 4.3A | 当前型号 | DPAK N-CH 500V 4.3A | 当前型号 |
| 型号： IPD50R950CE 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 500V 4.3A | 类似代替 | 500V,4.3A,950mOhm,N沟道功率MOSFET | IPD50R950CEATMA1和IPD50R950CE的区别 |