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IDT05S60C、IDT12S60C、IDT04S60C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT05S60C IDT12S60C IDT04S60C

描述 第二代的thinQ ! SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode第二代的thinQ ! SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 肖特基二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220 TO-220-2 TO-220

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 5.00 A 12.0 A 4.00 A

输出电流 ≤5.00 A ≤12.0 A ≤4.00 A

正向电压 1.70 V 1.70 V 1.7 V

极性 Standard Standard Standard

正向电流(Max) - 12 A -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 115000 mW -

正向电流 - - 4 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 32 A

封装 TO-220 TO-220-2 TO-220

长度 - - 9.9 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 9.2 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 Contains SVHC Contains SVHC Contains SVHC