IDT12S60C
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Infineon
英飞凌
分立器件
IDT12S60C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 12.0 A
输出电流 ≤12.0 A
正向电压 1.70 V
极性 Standard
正向电流Max 12 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220-2
外形尺寸
封装 TO-220-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 Contains SVHC
IDT12S60C引脚图与封装图
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在线购买IDT12S60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDT12S60C | Infineon 英飞凌 | 第二代的thinQ ！ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号IDT12S60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDT12S60C 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO220-2 600V 12A | 当前型号 | 第二代的thinQ ！ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode | 当前型号 |
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