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FDS7788、FDS8870、FDS7788_NL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS7788 FDS8870 FDS7788_NL

描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8870  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.5 V30V N-Channel PowerTrench MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC

引脚数 8 8 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18A

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 18.0 A -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 3 mΩ 0.0042 Ω -

耗散功率 2.5 W 2.5 W -

阈值电压 - 2.5 V -

输入电容 - 4.62 nF -

栅电荷 - 85.0 nC -

漏源击穿电压 30 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

上升时间 13 ns 48 ns -

输入电容(Ciss) 3845pF @15V(Vds) 4615pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1 W 2.5 W -

下降时间 36 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -

通道数 1 - -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -