NTUD3170NZT5G、SI1903DL-T1-E3、FDC655BN对比区别

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型号 NTUD3170NZT5G SI1903DL-T1-E3 FDC655BN

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTUD3170NZT5G.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC655BN  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SOT-963-6 SC-70-6 TSOT-23-6

漏源极电阻 0.75 Ω 995 mΩ 0.021 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel P-Channel, Dual P-Channel N-Channel

耗散功率 125 mW 300 mW 1.6 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 30 V

栅源击穿电压 - ±12.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 280 mA 440 mA 6.30 A

额定功率(Max) 125 mW 270 mW 800 mW

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 6.30 A

针脚数 6 - 6

阈值电压 1 V - 1.9 V

输入电容 12.5 pF - 570 pF

栅电荷 - - 10.0 nC

漏源击穿电压 - - 30.0 V

上升时间 25.5 ns - 4 ns

输入电容(Ciss) 12.5pF @15V(Vds) - 570pF @15V(Vds)

下降时间 80 ns - 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 0.2 W - 1.6 W

封装 SOT-963-6 SC-70-6 TSOT-23-6

长度 1.05 mm - 3 mm

宽度 0.85 mm - 1.7 mm

高度 0.4 mm - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 NLR - -