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TZM5237B-GS08、TZMC8V2-GS18、MMSZ5237BT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TZM5237B-GS08 TZMC8V2-GS18 MMSZ5237BT1G

描述 500mW,TZM52xxB 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 非常高的稳定性 低反向电流电平 容差 ±5% 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor齐纳二极管 500mW,TZM 系列,Vishay SemiconductorVishay 的表面安装 (SMT) 齐纳二极管额定值为 500mW,击穿电压范围从 3.3 至 75V### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorON SEMICONDUCTOR  MMSZ5237BT1G  单管二极管 齐纳, 8.2 V, 500 mW, SOD-123, 5 %, 2 引脚, 150 °C

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 SOD-80 Mini-MELF SOD-123

额定电压(DC) - - 8.20 V

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

额定功率 - - 500 mW

击穿电压 - - 8.61 V

针脚数 - - 2

正向电压 1.1 V 1.5V @200mA 900mV @10mA

耗散功率 500 mW - 500 mW

测试电流 20 mA 5 mA 20 mA

稳压值 8.2 V 8.2 V 8.2 V

正向电压(Max) 1.1V @200mA - 900mV @10mA

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

正向电流 200 mA - -

长度 3.7 mm 3.7 mm 2.69 mm

宽度 1.6 mm 1.6 mm 1.6 mm

高度 1.6 mm 1.6 mm 1.12 mm

封装 SOD-80 Mini-MELF SOD-123

材质 - - Plastic

工作温度 175 ℃ 175 ℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS-conform RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR