IRLHM630TR2PBF、IRLHM630TRPBF对比区别

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型号 IRLHM630TR2PBF IRLHM630TRPBF

描述 PQFN N-CH 30V 21AINFINEON  IRLHM630TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 3X3-8 QFN-8

漏源极电阻 0.0028 Ω 0.0028 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2.7 W 2.7 W

阈值电压 800 mV 800 mV

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 21A 21A

上升时间 32 ns 32 ns

输入电容(Ciss) 3170pF @25V(Vds) 3170pF @25V(Vds)

下降时间 43 ns 43 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc)

额定功率 - 2.7 W

针脚数 - 8

输入电容 - 3170 pF

长度 3.3 mm 3.3 mm

宽度 3.3 mm 3.3 mm

高度 1.05 mm 1.05 mm

封装 3X3-8 QFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17