IRLHM630TR2PBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRLHM630TR2PBF中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-CH
耗散功率 2.7 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 21A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 3170pF @25VVds
下降时间 43 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta, 37W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 3X3-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.05 mm
封装 3X3-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
IRLHM630TR2PBF引脚图与封装图
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在线购买IRLHM630TR2PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLHM630TR2PBF | Infineon 英飞凌 | PQFN N-CH 30V 21A | 搜索库存 |
替代型号IRLHM630TR2PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLHM630TR2PBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PQFN N-CH 30V 21A | 当前型号 | PQFN N-CH 30V 21A | 当前型号 |
| 型号： IRLHM630TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 30V 21A | 功能相似 | INFINEON IRLHM630TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV | IRLHM630TR2PBF和IRLHM630TRPBF的区别 |