BUZ31HXKSA1、BUZ73L、BSZ42DN25NS3GATMA1对比区别

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型号 BUZ31HXKSA1 BUZ73L BSZ42DN25NS3GATMA1

描述 TO-220 N-CH 200V 14.5ASIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON  BSZ42DN25NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 250 V, 0.371 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 8

封装 TO-220-3 TO-220-3 TSDSON-8

额定功率 - - 33.8 W

通道数 - 1 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - 400 mΩ 0.371 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 95W (Tc) 40 W 33.8 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 250 V

漏源击穿电压 - 200 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 14.5A 7.00 A 5A

上升时间 50 ns 60 ns 2 ns

输入电容(Ciss) 1120pF @25V(Vds) 840pF @25V(Vds) 320pF @100V(Vds)

下降时间 60 ns 40 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 95W (Tc) 40W (Tc) 33800 mW

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 7.00 A -

输入电容 - 840 pF -

长度 - 10 mm 3.3 mm

宽度 - 4.4 mm 3.3 mm

高度 - 15.65 mm 1.1 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TSDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17