
极性 N-CH
耗散功率 95W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 14.5A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1120pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 95W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BUZ31HXKSA1 | Infineon 英飞凌 | TO-220 N-CH 200V 14.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BUZ31HXKSA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-CH 200V 14.5A | 当前型号 | TO-220 N-CH 200V 14.5A | 当前型号 | |
型号: BUZ73L 品牌: 英飞凌 封装: TO-220-3 N-Channel 200V 7A 840pF | 类似代替 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | BUZ31HXKSA1和BUZ73L的区别 | |
型号: BUZ73ALHXKSA1 品牌: 英飞凌 封装: TO220-3 N-CH 200V 5.5A | 类似代替 | TO-220 N-CH 200V 5.5A | BUZ31HXKSA1和BUZ73ALHXKSA1的区别 | |
型号: BSC22DN20NS3GATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 7A | 功能相似 | INFINEON BSC22DN20NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 200 V, 0.194 ohm, 10 V, 3 V | BUZ31HXKSA1和BSC22DN20NS3GATMA1的区别 |