APT18M100B、STW13NK100Z对比区别

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型号 APT18M100B STW13NK100Z

描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STW13NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 18.0 A 13.0 A

耗散功率 625 W 350 W

输入电容 4.84 nF -

栅电荷 150 nC -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 13.0 A

上升时间 20 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 4845pF @25V(Vds) 6000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 625 W 350 W

下降时间 19 ns 45 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625W (Tc) 350W (Tc)

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 700 mΩ

极性 - N-Channel

阈值电压 - 3.75 V

漏源击穿电压 - 1000 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

封装 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 15.75 mm

宽度 - 5.15 mm

高度 - 20.15 mm

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/06/16

ECCN代码 - EAR99