APT18M100B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT18M100B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 18.0 A
耗散功率 625 W
输入电容 4.84 nF
栅电荷 150 nC
漏源极电压Vds 1000 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 4845pF @25VVds
额定功率Max 625 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT18M100B引脚图与封装图
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在线购买APT18M100B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| APT18M100B | Microsemi 美高森美 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号APT18M100B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT18M100B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 1kV 18A 4.84nF | 当前型号 | N沟道MOSFET N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STW13NK100Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 1kV 13A 700mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V | APT18M100B和STW13NK100Z的区别 |