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MMDT3906V-7、NST3906DXV6T5、MMDT3906V-7-L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMDT3906V-7 NST3906DXV6T5 MMDT3906V-7-L

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorSmall Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, PLASTIC PACKAGE-6

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 6 - -

封装 SOT-563-6 SOT-563 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 150 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V -

集电极最大允许电流 0.2A 0.2A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V - -

额定功率(Max) 150 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 150 mW - -

长度 1.6 mm - -

宽度 1.2 mm - -

高度 0.6 mm - -

封装 SOT-563-6 SOT-563 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -