MMDT3906V-7
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
MMDT3906V-7中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMDT3906V-7引脚图与封装图
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在线购买MMDT3906V-7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDT3906V-7 | Diodes 美台 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR | 搜索库存 |
替代型号MMDT3906V-7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMDT3906V-7 品牌： Diodes 美台 封装： SOT-563 PNP 150mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP BIPOLAR | 当前型号 |
| 型号： NST3906DXV6T5 品牌： 安森美 封装： | 功能相似 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | MMDT3906V-7和NST3906DXV6T5的区别 |