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MJ15023G、MJ15025、MJ15025G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJ15023G MJ15025 MJ15025G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJ15023G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -200 V, 4 MHz, 250 W, -16 A, 60 hFE硅功率晶体管 SILICON POWER TRANSISTORSON SEMICONDUCTOR  MJ15025G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 250 W, -16 A, 60 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 TO-204-2 TO-3 TO-204-2

频率 4 MHz - 4 MHz

额定电压(DC) -200 V -250 V -250 V

额定电流 -16.0 A -16.0 A -16.0 A

针脚数 2 - 2

极性 PNP, P-Channel - PNP, P-Channel

耗散功率 250 W - 250 W

击穿电压(集电极-发射极) 200 V - 250 V

热阻 0.7℃/W (RθJC) - 0.7℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 16A - 16A

最小电流放大倍数(hFE) 15 @8A, 4V - 15 @8A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) 60 - 60

额定功率(Max) 250 W - 250 W

直流电流增益(hFE) 60 - 60

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW - 250 W

长度 39.37 mm - 39.37 mm

宽度 26.67 mm - 26.67 mm

高度 8.51 mm - 8.51 mm

封装 TO-204-2 TO-3 TO-204-2

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99