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IRF1010ZS、IRF1010ZSTRRPBF、IRF1010ZSPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1010ZS IRF1010ZSTRRPBF IRF1010ZSPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 94AD2PAK N-CH 55V 94AINFINEON  IRF1010ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 55 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 140 W 140 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 94A 94A 94A

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

额定功率 - - 140 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.0075 Ω

阈值电压 - - 4 V

额定功率(Max) - - 140 W

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

上升时间 - 150 ns -

下降时间 - 92 ns -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10 mm 10.67 mm

宽度 - 9.25 mm 9.65 mm

高度 - 4.4 mm 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17