IRGS30B60KPBF、IRGS30B60KTRRP对比区别

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型号 IRGS30B60KPBF IRGS30B60KTRRP

描述 IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 370 W 370 W

耗散功率 370000 mW 370 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 370 W 370 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 370 W 370000 mW

长度 10.67 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 9.65 mm

高度 11.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Last Time Buy

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

ECCN代码 EAR99 EAR99