IRGS30B60KTRRP
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGS30B60KTRRP中文资料参数规格
技术参数
额定功率 370 W
耗散功率 370 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 370 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRGS30B60KTRRP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRGS30B60KTRRP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGS30B60KTRRP | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IRGS30B60KTRRP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGS30B60KTRRP 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-263-3 370000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin2+Tab D2PAK T/R | 当前型号 |
| 型号： IRGS30B60KPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 370000mW | 类似代替 | IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 SFM 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。 | IRGS30B60KTRRP和IRGS30B60KPBF的区别 |