PHT4NQ10T、PHT4NQ10T,135对比区别
型号 PHT4NQ10T PHT4NQ10T,135
描述 N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP SemiconductorsNexperia Si N沟道 MOSFET PHT4NQ10T,135, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4
封装 SOT-223 TO-261-4
针脚数 4 4
漏源极电阻 0.2 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel -
耗散功率 6.9 W 6.9 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 6900 mW 6.9W (Tc)
通道数 - 1
输入电容 - 300 pF
漏源击穿电压 - 100 V
上升时间 - 13 ns
额定功率(Max) - 6.9 W
下降时间 - 11 ns
连续漏极电流(Ids) - -
长度 6.7 mm 6.7 mm
宽度 3.7 mm 3.7 mm
高度 1.7 mm 1.7 mm
封装 SOT-223 TO-261-4
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)