PHT4NQ10T
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NXP
恩智浦
分立器件
PHT4NQ10T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.9 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 300pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 6900 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PHT4NQ10T引脚图与封装图 
PHT4NQ10T引脚图
PHT4NQ10T封装图
PHT4NQ10T封装焊盘图
在线购买PHT4NQ10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PHT4NQ10T | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PHT4NQ10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PHT4NQ10T 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223/SC-73/TO261-4 N-Channel | 当前型号 | N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： PHT4NQ10T/T3 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 100V 3.5A 300pF | 完全替代 | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | PHT4NQ10T和PHT4NQ10T/T3的区别 |
| 型号： PHT4NQ10T,135 品牌： 安世 封装： SOT-223 | 功能相似 | Nexperia Si N沟道 MOSFET PHT4NQ10T,135, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-223 SC-73封装 | PHT4NQ10T和PHT4NQ10T,135的区别 |