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MSMCJLCE9.0AE3、MSMCJLCE9.0A、1.5SMCJ9.0A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSMCJLCE9.0AE3 MSMCJLCE9.0A 1.5SMCJ9.0A

描述 SMCJ 9V 1500WSMCJ 9V 1500WDiode: transil; 1.5kW; 10÷11.1V; unidirectional; DO214AB

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AB DO-214AB DO-214AB

击穿电压 - - 10.11.1 V

耗散功率 - - 1.5 kW

钳位电压 - - 15.4 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最大反向电压(Vrrm) 9V 9V -

最小反向击穿电压 10 V 10 V -

封装 DO-214AB DO-214AB DO-214AB

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -