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VF10150S-E3/4W、VF10150S-M3/4W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VF10150S-E3/4W VF10150S-M3/4W

描述 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 ADiode Schottky 150V 10A 3Pin(3+Tab) ITO-220AB Tube

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 1.2V @10A 1.2V @10A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 120 A -

正向电压(Max) 1.2V @10A -

封装 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅