VF10150S-E3/4W中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2V @10A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 120 A
正向电压Max 1.2V @10A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VF10150S-E3/4W引脚图与封装图
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在线购买VF10150S-E3/4W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VF10150S-E3/4W | Vishay Semiconductor 威世 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A | 搜索库存 |
替代型号VF10150S-E3/4W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VF10150S-E3/4W 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： TO-220-3 | 当前型号 | 高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.59 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A | 当前型号 |
| 型号： VF10150S-M3/4W 品牌： 威世 封装： TO-220AB | 完全替代 | Diode Schottky 150V 10A 3Pin3+Tab ITO-220AB Tube | VF10150S-E3/4W和VF10150S-M3/4W的区别 |