2N4923G、BD237、NTE184对比区别

高亮显示差异参数

型号 2N4923G BD237 NTE184

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N4923G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFESTMICROELECTRONICS  BD237  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFENTE ELECTRONICS  NTE184  双极性功率晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

频率 3 MHz 3 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 100 V -

额定电流 1.00 A 2.00 A -

额定功率 - 25 W -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 30 W 25 W 40 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80.0 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @500mA, 1V 25 @1A, 2V -

额定功率(Max) 30 W 25 W -

直流电流增益(hFE) 3 40 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 25000 mW 40000 mW

集电极最大允许电流 1A - 4A

无卤素状态 Halogen Free - -

热阻 4.16℃/W (RθJC) - -

最大电流放大倍数(hFE) 150 - -

长度 7.74 mm 7.8 mm -

宽度 2.66 mm 2.7 mm -

高度 11.04 mm 10.8 mm -

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-126

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Design

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 85412900951