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RF081M2STR、RF081MM2STR、ESH1PD-M3/85A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RF081M2STR RF081MM2STR ESH1PD-M3/85A

描述 超快速恢复二极管 Super Fast Recovery Diode快速/超快二极管, 200 V, 1 A, 单, 980 mV, 25 ns, 20 ADiode Switching 200V 1A 2Pin SMP T/R

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 -

封装 SOD-123 SOD-123F DO-220AA

正向电压 950mV @800mA 950mV @800mA 900mV @1A

反向恢复时间 25 ns 25 ns 25 ns

正向电流 1000 mA 1000 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 20 A -

正向电压(Max) 950mV @800mA 980 mV -

正向电流(Max) 1000 mA 1000 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作结温 150℃ (Max) 150℃ (Max) -

热阻 20℃/W (RθJL) - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

高度 0.8 mm 0.8 mm -

封装 SOD-123 SOD-123F DO-220AA

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS-conform RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -