RF081M2STR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RF081M2STR中文资料参数规格
技术参数
正向电压 950mV @800mA
热阻 20℃/W RθJL
反向恢复时间 25 ns
正向电流 1000 mA
正向电压Max 950mV @800mA
正向电流Max 1000 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150℃ Max
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123
外形尺寸
高度 0.8 mm
封装 SOD-123
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
RF081M2STR引脚图与封装图
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在线购买RF081M2STR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RF081M2STR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 超快速恢复二极管 Super Fast Recovery Diode | 搜索库存 |
替代型号RF081M2STR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RF081M2STR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： PMDU | 当前型号 | 超快速恢复二极管 Super Fast Recovery Diode | 当前型号 |
| 型号： RF081MM2STR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOD-123F | 功能相似 | 快速/超快二极管, 200 V, 1 A, 单, 980 mV, 25 ns, 20 A | RF081M2STR和RF081MM2STR的区别 |