FDS7064SN3、FDS7066ASN3、FDMS7672对比区别

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型号 FDS7064SN3 FDS7066ASN3 FDMS7672

描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFETPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 Power-56-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 16.0 A 19.0 A -

通道数 1 1 1

漏源极电阻 8 mΩ 4.8 mΩ 5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3 W 3 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 19.0 A 19A

上升时间 20 ns 12 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 2800pF @15V(Vds) 2460pF @15V(Vds) 2960pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.5 W 1.7 W 2.5 W

下降时间 18 ns 28 ns 4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.13W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 48W (Tc)

阈值电压 - - 2 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 6 mm

高度 1.75 mm 1.75 mm 1.05 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 Power-56-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -