
额定电压DC 30.0 V
额定电流 19.0 A
通道数 1
漏源极电阻 4.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2460pF @15VVds
额定功率Max 1.7 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FDS7066ASN3 | Fairchild 飞兆/仙童 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FDS7066ASN3 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 19A 4.8mohms | 当前型号 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | 当前型号 | |
型号: FDS7064SN3 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 16A 8mohms | 类似代替 | 30V N沟道的PowerTrench SyncFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET | FDS7066ASN3和FDS7064SN3的区别 | |
型号: FDMS7672 品牌: 飞兆/仙童 封装: Power-56-8 N-Channel 30V 19A | 功能相似 | PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FDS7066ASN3和FDMS7672的区别 | |
型号: FDS7066SN3 品牌: 飞兆/仙童 封装: SO N-Channel 30V 19A 5.5mΩ | 功能相似 | 30V N通道PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩ | FDS7066ASN3和FDS7066SN3的区别 |