STP21NM60N、STP21NM60ND、STP15NM60ND对比区别

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型号 STP21NM60N STP21NM60ND STP15NM60ND

描述 N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STP15NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 190 mΩ 0.17 Ω 0.27 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 140W (Tc) 140 W 125 W

阈值电压 - 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A - 14A

上升时间 15 ns 16 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 1250pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 140 W 125 W

下降时间 31 ns 48 ns 28 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 125W (Tc)

输入电容 1.95 nF 1800 pF -

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 17.0 A - -

栅电荷 66.6 nC - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 - - NLR