STP21NM60N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 17.0 A
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 140W Tc
输入电容 1.95 nF
栅电荷 66.6 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 17.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1900pF @50VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
STP21NM60N引脚图与封装图
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在线购买STP21NM60N
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP21NM60N | ST Microelectronics 意法半导体 | N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET | 搜索库存 |
替代型号STP21NM60N
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： STP21NM60N 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 17A 190mohms 1.95nF | 当前型号 | N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP21NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STP21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V | STP21NM60N和STP21NM60ND的区别 |
| 型号： STP23NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 19.5A | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STP23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V | STP21NM60N和STP23NM60ND的区别 |
| 型号： STP15NM60ND 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 600V 14A | 类似代替 | STMICROELECTRONICS STP15NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 V | STP21NM60N和STP15NM60ND的区别 |