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BSO4420、IRF7821、IRF8714PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO4420 IRF7821 IRF8714PBF

描述 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-TransistorSOIC N-CH 30V 13.6AINFINEON  IRF8714PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 8.7 mohm, 10 V, 1.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 13.0 A 13.6 A -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta) 2.50 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13.0 A 13.6 A 14A

上升时间 44.0 ns 2.70 ns 9.9 ns

输入电容(Ciss) 2213pF @25V(Vds) - 1020pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

产品系列 - IRF7821 -

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0087 Ω

阈值电压 - - 1.8 V

下降时间 - - 5 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17