额定电压DC 30.0 V
额定电流 13.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 44.0 ns
输入电容Ciss 2213pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSO4420 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOIC N-Channel 30V 13A | 当前型号 | 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-Transistor | 当前型号 | |
型号: IRF7821TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 13.6A | 类似代替 | HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | BSO4420和IRF7821TRPBF的区别 | |
型号: IRF7413TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 13A | 类似代替 | INFINEON IRF7413TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V | BSO4420和IRF7413TRPBF的区别 | |
型号: IRF7413PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 13A | 类似代替 | INFINEON IRF7413PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V | BSO4420和IRF7413PBF的区别 |