PZT2222AT1G、PZT2222AT3G、PZT2222A对比区别

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型号 PZT2222AT1G PZT2222AT3G PZT2222A

描述 ON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT3G  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 35 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  PZT2222A  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 1 W, 1 A, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 1.00 A

针脚数 4 4 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 1.5 W 1 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

热阻 83.3℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 0.6A 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1 W

直流电流增益(hFE) 300 35 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1500 mW 1500 mW 1000 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

最大电流放大倍数(hFE) - - 300

长度 6.5 mm 6.5 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.5 mm 3.56 mm

高度 1.57 mm 1.57 mm 1.7 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99