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TPC8001、SI4800,518、SI4820DY-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPC8001 SI4800,518 SI4820DY-E3

描述 SOP N-CH 30V 7ASO N-CH 30V 9APower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) NXP (恩智浦) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 SOP SO-8 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 18.5 mΩ -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 - 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 - 30 V -

连续漏极电流(Ids) 7A 9A -

上升时间 - 7 ns -

下降时间 - 11 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) -

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.45 mm -

封装 SOP SO-8 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -