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SI4800,518

SI4800,518

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

SO N-CH 30V 9A

表面贴装型 N 通道 30 V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO


贸泽:
MOSFET TAPE13 MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SO T/R


SI4800,518中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 18.5 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 7 ns

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.45 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SI4800,518引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SI4800,518 NXP 恩智浦 SO N-CH 30V 9A 搜索库存
替代型号SI4800,518
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SI4800,518

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOIC-8 N-CH 30V 9A

当前型号

SO N-CH 30V 9A

当前型号

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品牌: 恩智浦

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