ISL2111AR4Z、ISL2111AR4Z-T对比区别

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型号 ISL2111AR4Z ISL2111AR4Z-T

描述 半桥 MOSFET 灌:3A 拉:4AMOSFET DRVR 100V 4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 12Pin DFN EP T/R

数据手册 --

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Intersil (英特矽尔)

分类 FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 12 12

封装 DFN-12 DFN-12

上升/下降时间 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns

输出接口数 2 2

耗散功率 3100 mW 3100 mW

下降时间(Max) - 7.5 ns

上升时间(Max) - 9 ns

工作温度(Max) - 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

耗散功率(Max) 3100 mW 3100 mW

电源电压 8V ~ 14V 8V ~ 14V

封装 DFN-12 DFN-12

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99