ISL2111AR4Z-T
数据手册.pdf
Intersil
英特矽尔
主动器件
ISL2111AR4Z-T中文资料参数规格
技术参数
上升/下降时间 9ns, 7.5ns
输出接口数 2
耗散功率 3100 mW
下降时间Max 7.5 ns
上升时间Max 9 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 3100 mW
电源电压 8V ~ 14V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 12
封装 DFN-12
外形尺寸
封装 DFN-12
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
ISL2111AR4Z-T引脚图与封装图 
ISL2111AR4Z-T引脚图
ISL2111AR4Z-T封装图
ISL2111AR4Z-T封装焊盘图
在线购买ISL2111AR4Z-T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL2111AR4Z-T | Intersil 英特矽尔 | MOSFET DRVR 100V 4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 12Pin DFN EP T/R | 搜索库存 |
替代型号ISL2111AR4Z-T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ISL2111AR4Z-T 品牌： Intersil 英特矽尔 封装： DFN-EP-12 | 当前型号 | MOSFET DRVR 100V 4A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 12Pin DFN EP T/R | 当前型号 |
| 型号： ISL2111AR4Z 品牌： 瑞萨电子 封装： DFN | 类似代替 | 半桥 MOSFET 灌:3A 拉:4A | ISL2111AR4Z-T和ISL2111AR4Z的区别 |