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TLV2782AIDG4、TLV2782ID、TSV912IDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2782AIDG4 TLV2782ID TSV912IDT

描述 运算放大器 - 运放 Dual 1.8V RRIO 8MHz Amp家庭1.8 V高速轨到轨输入/输出运算放大器,带有关断 FAMILY OF 1.8 V HIGH-SPEED RAIL-TO-RAIL INPUT/OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWNSTMICROELECTRONICS  TSV912IDT  运算放大器, 双路, 8 MHz, 2个放大器, 4.5 V/µs, 2.5V 至 5.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

通道数 2 2 2

耗散功率 0.71 W 710 mW -

共模抑制比 70 dB 70 dB 82 dB

输入补偿漂移 8.00 µV/K 8.00 µV/K -

带宽 8.00 MHz 8.00 MHz 8 MHz

转换速率 4.30 V/μs 5.00 V/μs 4.50 V/μs

增益频宽积 8 MHz 8 MHz 8 MHz

输入补偿电压 2 mV 250 µV 100 µV

输入偏置电流 0.015 nA 2.5 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

输出电流 - 23mA @2.7V 35 mA

供电电流 - 650 µA 820 µA

电路数 - 2 2

针脚数 - - 8

增益带宽 - 8 MHz 8 MHz

共模抑制比(Min) - 70 dB 62 dB

电源电压 - - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 2.5 V

耗散功率(Max) - 710 mW -

长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.91 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

ECCN代码 - - EAR99