LT1013DDR、LT1013IS8#PBF、LT1013DS8#PBF对比区别

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型号 LT1013DDR LT1013IS8#PBF LT1013DS8#PBF

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LT1013DDR  芯片, 精密运算放大器, 2路LINEAR TECHNOLOGY  LT1013IS8#PBF  运算放大器, 双路, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚LINEAR TECHNOLOGY  LT1013DS8#PBF  运算放大器, 双路, 800 kHz, 2个放大器, 0.4 V/µs, ± 2V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) Linear Technology (凌力尔特) Linear Technology (凌力尔特)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 350 µA 350 µA 350 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 - 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 97 dB - -

输入补偿漂移 500 nV/K - -

带宽 1 MHz 10 Hz 800 kHz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 1 MHz - -

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 15 nA 15 nA 15 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz - -

共模抑制比(Min) 97 dB 97 dB 97 dB

电源电压 5V ~ 30V - 4V ~ 44V

电源电压(Max) 44 V - -

电源电压(Min) 4 V - -

电源电压(DC) - - 15.0 V

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 3.988 mm 3.99 mm

高度 1.58 mm 1.498 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC