3N120、MTP3N120E、MTB3N120E对比区别

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型号 3N120 MTP3N120E MTB3N120E

描述 3A, 1200V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220ABTO-220 N-CH 1200V 3ATrans MOSFET N-CH Si 1.2kV 3A 3Pin(2+Tab) D2PAK Rail

数据手册 ---

制造商 Motorola (摩托罗拉) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220 TO-263

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) - 1200 V -

连续漏极电流(Ids) - 3A -

上升时间 - 12.6 ns 12.6 ns

输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds) 2130pF @25V(Vds)

下降时间 - 20.7 ns 20.7 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW 2500 mW

封装 - TO-220 TO-263

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Rail Rail

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant