MTP3N120E
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MTP3N120E中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 1200 V
连续漏极电流Ids 3A
上升时间 12.6 ns
输入电容Ciss 1200pF @25VVds
下降时间 20.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
MTP3N120E引脚图与封装图
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在线购买MTP3N120E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MTP3N120E | ON Semiconductor 安森美 | TO-220 N-CH 1200V 3A | 搜索库存 |
替代型号MTP3N120E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MTP3N120E 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-220 N-CH 1200V 3A | 当前型号 | TO-220 N-CH 1200V 3A | 当前型号 |
| 型号： 3N120 品牌： 摩托罗拉 封装： | 功能相似 | 3A, 1200V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | MTP3N120E和3N120的区别 |