JAN2N918UB、JANS2N918UB、2N918UB对比区别

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型号 JAN2N918UB JANS2N918UB 2N918UB

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, CERAMIC PACKAGE-3硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SMD-3 - SMD-3

耗散功率 200 mW - 200 mW

输入电容 2 pF - 2pF (Max)

击穿电压(集电极-发射极) 15 V - 15 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @3mA, 1V - 20 @3mA, 1V

额定功率(Max) 200 mW - 200 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 200 mW - 200 mW

高度 1.42 mm - -

封装 SMD-3 - SMD-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Pack Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 EAR99