2N918UB
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
2N918UB中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 mW
输入电容 2pF Max
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SMD-3
外形尺寸
封装 SMD-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
海关信息
ECCN代码 EAR99
2N918UB引脚图与封装图
暂无图片
替代型号2N918UB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： 2N918UB 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 3-SMD 200mW | 当前型号 | 硅NPN开关晶体管 NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N918UB 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 2N918UB和JANTXV2N918UB的区别 |
| 型号： JAN2N918UB 品牌： 美高森美 封装： 200mW | 类似代替 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 2N918UB和JAN2N918UB的区别 |
| 型号： JANTX2N918UB 品牌： 美高森美 封装： 200mW | 功能相似 | NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR | 2N918UB和JANTX2N918UB的区别 |
