CY7C1513JV18-300BZC、IS61QDB44M18A-300M3L、CY7C1513KV18-300BZXC对比区别

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型号 CY7C1513JV18-300BZC IS61QDB44M18A-300M3L CY7C1513KV18-300BZXC

描述 72 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst ArchitectureQDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-16572 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - - 18

存取时间 - 8.4 ns 0.45 ns

存取时间(Max) - - 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

时钟频率 - 300 MHz -

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free