CY7C1513JV18-300BZC
数据手册.pdfCypress Semiconductor(赛普拉斯)
电子元器件分类
CY7C1513JV18-300BZC中文资料参数规格
技术参数
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
外形尺寸
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
CY7C1513JV18-300BZC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1513JV18-300BZC
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CY7C1513JV18-300BZC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 72 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
替代型号CY7C1513JV18-300BZC
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CY7C1513JV18-300BZC 品牌： Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装： FBGA | 当前型号 | 72 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture | 当前型号 |
| 型号： CY7C1513KV18-300BZXC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 72 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture | CY7C1513JV18-300BZC和CY7C1513KV18-300BZXC的区别 |
| 型号： CY7C1513KV18-300BZC 品牌： 赛普拉斯 封装： FBGA | 完全替代 | 72 - Mbit的QDR II SRAM 4字突发架构 72-Mbit QDR II SRAM 4-Word Burst Architecture | CY7C1513JV18-300BZC和CY7C1513KV18-300BZC的区别 |
| 型号： IS61QDB44M18A-300M3L 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： FBGA | 功能相似 | QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 | CY7C1513JV18-300BZC和IS61QDB44M18A-300M3L的区别 |