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MJE18006、MJE18006G、BD545B-S对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE18006 MJE18006G BD545B-S

描述 功率晶体管 POWER TRANSISTORNPN双极型功率晶体管开关电源的应用 NPN Bipolar Power Transistor For Switching Power Supply ApplicationsSOT-93 NPN 80V 15A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Bourns J.W. Miller (伯恩斯)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-218-3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - - 85 W

击穿电压(集电极-发射极) 450 V 450 V 80 V

集电极最大允许电流 6A 6A 15A

最小电流放大倍数(hFE) 6 @3A, 1V 6 @3A, 1V 10 @10A, 4V

额定功率(Max) 100 W 100 W 3.5 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ 65 ℃

额定电压(DC) 450 V 450 V -

额定电流 8.00 A 6.00 A -

耗散功率(Max) - 100000 mW -

长度 - - 15.2 mm

宽度 - - 4.9 mm

高度 - - 12.2 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-218-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -