锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF540A、IRF540PBF、STP30NF10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF540A IRF540PBF STP30NF10

描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 28.0 A 35.0 A

额定功率 - 150 W 115 W

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 52.0 mΩ 0.077 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 107 W 150 W 115 W

阈值电压 - 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 25.0 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 28.0 A 28.0 A 35.0 A

上升时间 18 ns 44 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 1710pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 107 W 150 W 115 W

下降时间 56 ns 43 ns 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 107W (Tc) 150 W 115W (Tc)

长度 10.67 mm 10.41 mm 10.4 mm

宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm

高度 16.3 mm 9.01 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Rail Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99