IRF540A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRF540A中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 52.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 107 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1710pF @25VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 56 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRF540A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF540A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF540A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 100V 28A 52mohms | 当前型号 | 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP30NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 35A 38mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP30NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V | IRF540A和STP30NF10的区别 |
| 型号： STP24NF10 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 100V 26A 55mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP24NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 100 V, 0.055 ohm, 10 V, 3 V | IRF540A和STP24NF10的区别 |
| 型号： IRF540PBF 品牌： 威世 封装： TO-220 N-Channel 100V 28A 77mΩ | 功能相似 | 功率MOSFET Power MOSFET | IRF540A和IRF540PBF的区别 |