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70T633S10BC8、70T633S10BCGI、70V7339S133BC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T633S10BC8 70T633S10BCGI 70V7339S133BC

描述 静态随机存取存储器 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM512K x 18, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sIC SRAM 9Mbit 133MHz 256CABGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 256 256 256

封装 CABGA-256 CABGA-256 LBGA-256

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

电源电压(Max) - 2.6 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

长度 17 mm 17 mm 17 mm

宽度 17 mm 17 mm 17 mm

封装 CABGA-256 CABGA-256 LBGA-256

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

高度 1.4 mm 1.4 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead