存取时间 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min 40 ℃
电源电压 2.4V ~ 2.6V
电源电压Max 2.6 V
电源电压Min 2.4 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 256
封装 CABGA-256
长度 17 mm
宽度 17 mm
高度 1.4 mm
封装 CABGA-256
厚度 1.40 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
70T633S10BCGI | Integrated Device Technology 艾迪悌 | 512K x 18, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: 70T633S10BCGI 品牌: Integrated Device Technology 艾迪悌 封装: CABGA 256Pin | 当前型号 | 512K x 18, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's | 当前型号 | |
型号: 70T633S10BC8 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 256Pin | 完全替代 | 静态随机存取存储器 512K X 18 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM | 70T633S10BCGI和70T633S10BC8的区别 | |
型号: 70T633S10BCI 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 256Pin | 完全替代 | SRAM Chip Async Dual 2.5V 9M-Bit 512K x 18 10ns 256Pin CABGA Tray | 70T633S10BCGI和70T633S10BCI的区别 | |
型号: 70T3339S200BCG 品牌: 艾迪悌 封装: CABGA 256Pin | 类似代替 | 静态随机存取存储器 512K X 18 DP | 70T633S10BCGI和70T3339S200BCG的区别 |